第188章 决战14nm遇EUV难题

  陈醒的指令如同一声號角，將未来科技最强的技术力量，从应对水果chiplet竞爭的明面战场，急速调往隱藏在华夏芯谷洁净室深处的、更为残酷的“追光”前线。

  14nm工艺节点的攻坚，而极紫外（euv）光刻技术，就是横亘在这条路上那座必须翻越的、近乎绝望的雪山。

  合城產业园，华夏芯谷，“追光计划”二期作战室。

  气氛比之前攻克28nm时更加压抑，空气中仿佛瀰漫著一种面对物理法则极限的无力感。

  林薇、金秉洙博士、梁志远，以及几位新加入的光学、等离子物理领域的顶尖专家，围坐在巨大的屏幕前，上面展示著euv光刻机那令人望而生畏的复杂结构图。

  “陈总，情况比我们预想的还要严峻。”

  金秉洙博士的声音带著嘶哑，他指著屏幕上euv的核心部分，

  “我们必须自己造出能稳定输出13.5纳米波长光源的系统。这需要將微小的锡滴，用高功率的二氧化碳雷射器以每秒数万次的频率精准击中，將其激发成高温等离子体，从而辐射出极紫外光。仅仅是维持稳定、纯净、足够功率的光源，就是一个世界级的难题。”

  梁志远接著补充，他的脸色同样凝重：

  “这还只是第一步。euv光几乎能被所有物质吸收，传统的透镜系统完全无效，我们必须使用由上百层鉬/硅交替镀膜构成的多层膜反射镜来引导光路。每一层膜的厚度都必须控制在原子级別，任何微小的瑕疵都会导致光能急剧损耗。目前全球能製造这种镜片的厂商，屈指可数，並且全部在阿斯莫的严密控制之下。”

  一位来自华科院东北光机所的光学专家推了推眼镜，语气沉重：

  “我们自己的光学材料基础和精密加工能力，与国外顶尖水平存在代差。製造euv级別的反射镜，不仅仅是技术问题，更是材料科学、超精密加工、检测仪器等一系列基础工业能力的综合体现。我们……几乎是从零开始。”

  林薇调出了一份初步的供应链评估报告，上面的红色標记触目惊心：

  “高功率二氧化碳雷射器、超高真空系统、精密磁悬浮双工件台、对准和量测模块……euv光刻机涉及超过十万个零部件，其中核心子系统几乎全部被西方巨头垄断。阿斯莫公司本身也只是系统集成商，其背后是整个西方世界数十年积累的高端装备製造体系。我们面临的，不是一家公司，而是一个技术联盟构筑的铜墙铁壁。”

  会议室里陷入了长久的沉默。28nm的深紫外（duv）光刻机，他们还能通过逆向工程、参数调优和自研光刻胶去奋力一搏。