第831章 晶片进展3
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  “第一，纳米片电晶体（gaafet） 的刻蚀控制。
  我们对纳米片叠层的精度、柵极环绕的控制，极其不稳定，这是良率波动的主要来源之一。”
  “第二，高介电常数金属柵极（hkmg） 的堆叠精度和均匀性。
  新材料的热预算和界面態极其敏感，均匀性偏差导致閾值电压（vt）漂移严重。”
  “第三，也是最致命的，”他的语气几乎带著一丝绝望。
  “极紫外（euv）光刻技术的应用调试。
  euv光源的功率、稳定性，以及配套的光刻胶、掩膜版技术，全部受到最严格的限制，获取极其困难，调试进度几乎停滯。
  没有稳定可靠的euv光刻，很多关键的精细结构无法实现，良率和性能都无从谈起。”
  他指著图表上那个刺眼的数字：
  “目前mpw试產的综合良率......仍然在25%-30% 的区间剧烈波动，最低甚至探至18%。
  而且，波动没有收敛的趋势。
  姚总，这个良率，对於单颗成本就高达数十美元的高端旗舰晶片来说，是商业上无法接受的。”
  会议室的温度仿佛瞬间降到了冰点。
  25%-30%且不稳定的良率，意味著超过三分之二的晶片是废品，这不仅是成本的灾难，更是量產交付的噩梦。
  孟良凡的面色也无比凝重。