第133章 国家MEMS重大专项
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  苏辰站了起来。
  “mems的製造工艺，传统路线有两条——表面微加工和体硅微加工。“
  “表面微加工成本低、產能高，但精度有天花板——这是目前大部分消费级mems的主流工艺。“
  “体硅微加工精度高、可靠性好，但工艺复杂、成本高——这是军工级mems的主流工艺，也是村田scr1100使用的工艺基础。“
  “如果我们走传统路线——先做表面微加工，再逐步过渡到体硅微加工——至少需要三到五年。“
  “但我的想法不一样。“
  苏辰在白板上画了一个简图：
  “我建议跳过纯表面微加工路线，直接走体硅+soi（绝缘体上硅）混合工艺路线。“
  会议室里立刻出现了交头接耳的声音。
  上海微系统所的钱研究员第一个提出了质疑：
  “苏总，soi混合工艺在国际上也只是在实验室阶段有过验证。意法半导体和博世都还没有在量產线上全面採用。你们一条4英寸的產线，直接上soi混合工艺——风险是不是太大了？“
  “而且soi晶圆的成本是普通硅晶圆的五到八倍。“钱研究员补充道，“你们的资金能承受吗？“
  面对质疑，苏辰没有著急。
  “钱老师说的风险確实存在。但我想换一个角度来看这个问题。“
  “如果我们走传统路线——表面微加工→体硅微加工→最终才触及soi混合工艺——至少要三步走，每一步至少一到两年。“