第199章 天权5號14nm流片

  华夏芯谷，14纳米finfet工艺实验线。

  与euv光源实验室那种充满能量轰鸣的氛围不同，这里是一片极致精密的绝对静默。

  千级洁净室內，只有空调系统低沉的送风声，以及自动化设备机械臂精准移动时发出的、几不可闻的伺服电机音。

  空气里瀰漫著淡淡的、属於特殊化学品和纯水的气息。

  梁志远站在工艺监控室內，透过巨大的观察窗，凝视著那条在淡黄色安全灯映照下缓缓流动的晶圆传送带。

  第一批承载著“天权5號”设计蓝图的硅晶圆，已经完成了清洗和氧化，正等待著进入光刻区。

  他的心臟跳动得异常沉重，閾值电压均匀性的问题，如同最后一颗未能完全拧紧的螺丝，让他寢食难安。

  流片前夜的临时攻坚组发挥了作用。通过近乎苛刻地微调离子注入的能量与角度，並將热处理环节的温度均匀性控制在正负0.1摄氏度之內，他们成功將閾值电压的晶圆內均匀性提升了15%，达到了设计规格的上限。

  但这只是模擬和样片测试的结果，真正的考验，是面对整批晶圆、经歷上百道复杂工序的大规模生產。

  “梁工，第一片晶圆进入第一道光刻工序。”对讲机里传来现场工程师冷静的匯报。

  梁志远深吸一口气：“按预定方案执行。重点关注光刻胶涂布均匀性和曝光后关键尺寸的在线量测数据。”

  流片，如同一位顶尖主厨按照一份空前复杂的食谱，在微观世界里烹飪一场盛宴。任何一点火候的偏差、任何一味佐料的不均，都可能导致整道菜餚的失败。

  在硅谷，章宸和他的团队同样彻夜未眠。

  他们建立了与华夏芯谷实验线的实时数据连接，监控著每一道工序后提取的测试结构的电性参数。

  一旦发现任何偏离预期的跡象，他们需要立刻判断是设计问题还是工艺波动，並协同梁志远团队进行调整。