第191章 追光二期攻EUV

  深城总部顶层的灯光，在二十五周年庆典的喧囂散去后，並未熄灭，反而亮得更加执著，如同夜海中指引航向的灯塔。

  庆典的鲜花与掌声已被收起，取而代之的是悬掛在战略指挥中心巨大电子屏上的，一幅全新的作战示意图——“追光计划”二期，euv攻坚战总览图。

  图上清晰標註著三路大军的进军路线、技术节点与攻克时限，红、蓝、黄三色箭头，如同三柄利剑，直指那座名为“极紫外光刻”的技术珠峰。

  陈醒站在图前，身后是公司所有核心高管。庆典上宣布的“领跑”宣言言犹在耳，但此刻，每个人都清楚，口號必须踏踏实实地踩在每一个原子、每一束光的精度上。

  “同志们，庆典结束了。”

  陈醒的声音打破了沉寂，没有激昂的动员，只有冰冷的理性。

  “周明带来的消息大家都知道了。阿斯莫的管制升级，不是警告，是宣战。他们想把我们永远锁死在28nm的舒適区，扼杀我们向更高製程进军的所有可能。我们没有任何退路，『追光计划』二期，从现在起，进入战时状態！”

  他的目光扫过眾人，最终落在林薇、金秉洙和梁志远身上。

  “林薇，你作为项目总协调，我要你確保三路大军的资源，尤其是人才和资金，必须无限量、无条件优先保障！金博士，梁工，正面战场，就交给你们了。”

  第一路，正面强攻，“光源与光学”突击队。

  合城，华夏芯谷深处，新落成的euv光源实验室。这里的气氛比超净间更加凝重，空气中瀰漫著臭氧和金属加热后的特殊气味，巨大的二氧化碳雷射器阵列发出低沉的嗡鸣。

  金秉洙博士双眼布满血丝，紧盯著主控屏幕上疯狂跳动的数据。第三次锡滴雷射轰击实验刚刚结束，结果依旧不理想。

  “功率稳定度92.3%，距离95%的工程化门槛还差一口气。”

  一位年轻工程师声音乾涩地匯报，脸上写满了沮丧。

  “锡滴的生成频率和雷射的同步精度，始终有纳秒级的抖动，导致等离子体状態不稳定，euv光输出功率波动太大。”