第978章 抹黑与无力挣扎

  jsts的主编在对外接受采访的时候表示，《探索》上公开的两篇论文可能存在严重的问题。

  他们联合了米国加州理工大学半导体领域的顶尖大牛霍布斯·韦伯斯特教授一起研究了《探索·总刊》，发现上面公开的数据存在着异常情况。

  比如《探索·总刊》公开的实验数据中，碳基芯片的热设计功耗tdp仅仅只有30w，而主频却高达5.8ghz

  即便是碳基材料在半导体领域有着优势，但按照数据推算，成品碳基芯片也不可能达到如此夸张的性能数据。

  为此，他们还给出了完整的模拟计算数据和性能，按照每平方毫米集成一千万颗碳基晶体管的数据，模拟出来的碳基芯片在性能上仅仅只有论文上的一半不到。

  简而言之，《探索·总刊》上公开的论文上的实验数据，可能存在编造和夸大的情况。

  不得不说，在半导体领域，《jsts期刊》的影响力还是相当大的，当这篇采访报道出来的时候，立刻就在半导体技术与科学论坛上掀起了不小的讨论。

  在不少从事硅基半导体产业研究的学者或科研人员看来，加州理工大学霍布斯·韦伯斯特教授公开的这份模拟数据的确很有意思。

  碳基芯片的性能究竟能达到一个怎样的层次，《探索·总刊》上的实验数据到底有没有造假，在这个本就占据了热搜的时间点，掀起了不小的讨论。

  而公开站出来质疑和表态的，也并不单单是《jsts期刊》一家。

  针对《探索·总刊》上的实验数据，许多半导体领域的大牛或顶级的企业都表示自己正在进行研究和模拟实验，并且对碳基芯片能否做到这个程度表示了极大的质疑。

  甚至包括半导体领域最具权威的期刊杂志《ieee》，并且还是由电气和电子工程师协会的副理事长对外接受了采访，表示ieee对《探索·总刊》的实验数据存在疑惑

  并且ieee希望做出这枚碳基芯片的星海研究院能够配合电气和电子工程师协会的调查，或者是提供基础芯片样本，以进行实验测试。

  当ieee这个半导体领域最具权威的期刊杂志都公开站出来表达后，整个半导体领域都沸腾了起来。

  无论是业内，还是界外，对于碳基芯片的讨论，再度热闹了起来。