第885章 半成品碳基芯片

  赵光贵应了一声，带着两人朝着另一间实验室走去。

  在年底的时候，碳纳米管每平方毫米的面积集成数量突破了百万级后，材料研究所这边便联合了华威的海思、中芯国际、北大的碳基电子学研究中心的等芯片领域的企业和高校，利用成品的衬底去对其进行晶体管集成化。

  国内在顶尖的低纳米硅基芯片上虽然有所不足，但是次级芯片上的研发制备上是有着完整体系的。

  海思在芯片设计领域的设计能力，中芯国际的完整工艺制造能力，北大碳基电子研究中心的碳芯研究，再加上星海研究院的碳基衬底和高密度碳纳米管排列技术。

  一套近乎完整的碳基芯片研发、设计、制备、生产流程就这样拼凑出来了。

  在材料研究所这边提供了数十块每平方毫米集成了百万级碳纳米管的碳化硅衬底后，就春节期间，半个月的时间，中芯国际目前已经制备出来了集成了数百万枚‘mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘jfet结型场效应管’的碳基芯片。

  ‘mosfet管’和‘jfet管’是芯片中的最主要，也是最基础的晶体管。

  前者利用金属、氧化物和半导体的结构，通过栅极电压的变化来控制半导体表面的电子积累或耗尽，从而控制源极和漏极之间的电流。

  而后者则是通过改变外部电压来控制半导体内部电场，进而控制导电沟道宽窄的半导体器件。

  这两种晶体管是现代电子设备中不可或缺的元件，对于实现电路的各种功能起着至关重要的作用。

  更通俗更简单一点的来说，能够大规模的集成这两种晶体管器件，那么就能够实现芯片的大部分功能。

  虽然说现阶段他们所做出来的碳基芯片还相当的粗早。

  不仅仅集成上去的mosfet晶体管和jfet效应管良品率还不到百分之八十，甚至各种电路图之类的设计也都是直接套硅基芯片的。

  但没平方毫米超过七十万枚基础碳晶体管的芯片，已经足够在上面规划出不少的计算电路，实现不少的功能了。

  对碳基芯片进行检测的另一间实验室中，雷君第一次看到了那枚‘碳基芯片’。